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选择钛酸铋具体的工作介绍 |
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发展了用溶液水热法制备Ｂｉｌ２Ｔｉ０２０材料的方法，合成了微米球、微米花、纳米棒和纳米线等分级结构晶体。为可控形貌，分析了反应温度、反应时间、ｐＨ 值和ＰＶＡ浓度对Ｂｉｌ２Ｔｉ０２０形貌和结构的影响，确定了材料可控形貌的反应参数， 提出了纳米颗粒一微米花一纳米线—微米球的生长机理，并重点研究了材料的光学和光催化性能。结果展示了纳米线具有最佳的光催化性能。
同时，采用无表面 活性剂、无模板相助水热法制备了高度分散的微米球，并展示了其良好的光催化性能。用金属有机前驱体法合成了Ｂｉ４Ｔｉ３０１２纳米粉，展示了不同热处理试样的 荧光和光催化性能。用ＰＢＲ（Ｐｅｒｏｘｉｄｅ．Ｂａｓｅｄ．Ｒｏｕｔｅ嗍乳液法相结合的新型化学 方法制备了分散性好的Ｂｉ４Ｔｉ３０１２纳米粉。基于ＤＳＣ热分析，应用非平衡晶体化 动力学基础知识，计算了纳米粉体晶体化过程的激活能慨）和Ａｖｒａｍｉ指数（玎）。 研究了ＢＩＴ，ＢｈＴｉ３嚷ＷｘＯｌ２＋ｘ＋Ｏ．２ｗｔ％Ｃｒ２０３（ＢＴＷＣ），Ｂｉ４Ｔｉ３—２ｘＮｂｘＴａｘＯｌ２（ＢＴＮＴ） 和Ｂｉ４Ｔｉ３．２ｘＮｂ。Ｔａｘ叫ＳｂｖＯｌ２（ＢＴＮＴＳ）陶瓷的晶体结构、微观形貌、介电、压电和电 导性能。对ＢＩＴ陶瓷，优化了其合成工艺，确定了最佳的工艺参数，测试了其压电系数ｄ３３＝８ｐＣ／Ｎ。
对ＢＴＷＣ陶瓷，确定了其晶格参数：发现高掺杂量时第二相的存在；随掺杂量的增加，其室温介电常数和介电损耗也在增加；展示ｘ＝０．０２５ 试样因最小电导率而获最佳压电系数ｄａ３＝２２ｐＣ／Ｎ。对ＢＴＮＴ及ＢＴＮＴＳ陶瓷，展示其具有八面体结构，Ｎｂ／Ｔａ掺杂抑制了晶粒生长而少量Ｓｂ／Ｎｂ／Ｔａ掺杂并没有很大程度上影响陶瓷晶粒的大小。
随掺杂量增加，Ｎｂ／Ｔａ改性ＢＩＴ的居里温度减小至６３００Ｃ而Ｓｂ／Ｎｂ／Ｔａ改性的ＢＩＴ其变化不大。Ｂ位掺杂有效控制了氧八面体的 变形和氧空位浓度，导致其压电性能的提高，即ＢｉｇＴｉ２．９８Ｎｂｏ．ｏｌ‰．ｏｌＯｌ２及 Ｂｉ４Ｔｉ２．９ｓＮｂｏ．ｏｔＴａｏ．００２Ｓｂｏ．００８０１２获最佳压电系数ｄ３３＝２６ｐＣ／Ｎ及／３３＝３５ｐＣ／Ｎ，并保持高的居里温度。用电动模行为分析其弛豫激发和直流电导激发的激活能，判定此 陶瓷的导电机理是氧离子电导和弛豫现象相互作用引起的氧离子迁移所导致。
对比经典物理模型，判定校正的势累跃迁模型最适合分析此陶瓷的电子运输现象。 | |
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